








2025-10-29 00:33:48
在半導(dǎo)體集成電路(IC)的失效分析場(chǎng)景里,EMMI 發(fā)揮著無(wú)可替代的作用。隨著芯片集成度不斷攀升,數(shù)十億個(gè)晶體管密集布局在方寸之間,任何一處細(xì)微故障都可能導(dǎo)致整個(gè)芯片功能癱瘓。當(dāng) IC 出現(xiàn)功能異常,工程師借助 EMMI 對(duì)芯片表面進(jìn)行逐點(diǎn)掃描,一旦檢測(cè)到異常的光發(fā)射區(qū)域,便如同找到了通往故障的 “線索”。通過(guò)對(duì)光信號(hào)強(qiáng)度、分布特征的深入剖析,能夠判斷出是晶體管漏電、金屬布線短路,亦或是其他復(fù)雜的電路缺陷,為后續(xù)的修復(fù)與改進(jìn)提供關(guān)鍵依據(jù),保障電子產(chǎn)品的穩(wěn)定運(yùn)行。微光顯微鏡不斷迭代升級(jí),推動(dòng)半導(dǎo)體檢測(cè)邁向智能化。直銷(xiāo)微光顯微鏡售價(jià)

近紅外微光顯微鏡的高數(shù)值孔徑(NA)顯微光學(xué)系統(tǒng),是 “高效收集光輻射信號(hào)” 的中心,其設(shè)計(jì)目標(biāo)是限度提升光信號(hào)的收集效率,確保微弱光輻射能被探測(cè)器捕捉。該光學(xué)系統(tǒng)采用 “高 NA 物鏡 + 同軸光路” 設(shè)計(jì):物鏡方面,配備 20X(NA=0.4)、50X(NA=0.8)、100X(NA=0.95)三種高 NA 物鏡,數(shù)值孔徑越大,光收集角越大,信號(hào)收集效率越高 ——100X 物鏡的光收集效率是普通 20X 物鏡的 6 倍以上,可有效收集芯片深層缺陷(如 IC 芯片內(nèi)部 PN 結(jié))的微弱光輻射。無(wú)損微光顯微鏡儀器具備“顯微”級(jí)空間分辨能力,能將熱點(diǎn)區(qū)域精確定位在數(shù)微米甚至亞微米尺度。

芯片在工作過(guò)程中,漏電缺陷是一類(lèi)常見(jiàn)但極具隱蔽性的失效現(xiàn)象。傳統(tǒng)檢測(cè)手段在面對(duì)復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)和高集成度芯片時(shí),往往難以在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)精細(xì)定位。而微光顯微鏡憑借對(duì)極微弱光輻射的高靈敏捕捉能力,為工程師提供了一種高效的解決方案。當(dāng)芯片局部出現(xiàn)漏電時(shí),會(huì)產(chǎn)生非常微小的發(fā)光現(xiàn)象,常規(guī)設(shè)備無(wú)法辨識(shí),但微光顯微鏡能夠在非接觸狀態(tài)下快速捕獲并呈現(xiàn)這些信號(hào)。通過(guò)成像結(jié)果,工程師可以直觀判斷缺陷位置和范圍,進(jìn)而縮短排查周期。相比以往依賴電性能測(cè)試或剖片分析的方式,微光顯微鏡實(shí)現(xiàn)了更高效、更經(jīng)濟(jì)的缺陷診斷,不僅提升了芯片可靠性分析的準(zhǔn)確度,也加快了產(chǎn)品從研發(fā)到量產(chǎn)的閉環(huán)流程。由此可見(jiàn),微光顯微鏡在電子工程領(lǐng)域的應(yīng)用,正在為行業(yè)帶來(lái)更快、更精細(xì)的檢測(cè)能力。
微光顯微鏡通過(guò)特殊的光學(xué)系統(tǒng)收集這些微弱光,再通過(guò)光電轉(zhuǎn)換器件將光信號(hào)變成電信號(hào),經(jīng)過(guò)放大處理后,終形成清晰的圖像。在這個(gè)過(guò)程中,高靈敏度的探測(cè)器是關(guān)鍵,它能感知到單光子級(jí)別的信號(hào),再加上高倍率鏡頭的配合,定位精度能達(dá)到 1-5 微米,剛好適配現(xiàn)在微型化芯片的檢測(cè)需求。它的重要性體現(xiàn)在多個(gè)環(huán)節(jié):芯片研發(fā)階段,工程師可以用它快速找到設(shè)計(jì)缺陷導(dǎo)致的失效點(diǎn),縮短研發(fā)周期;生產(chǎn)階段,能排查出晶圓或封裝過(guò)程中產(chǎn)生的隱性問(wèn)題,提高產(chǎn)品良率;在設(shè)備維修時(shí),還能定位故障位置,減少不必要的部件更換,降低維修成本。故障類(lèi)型與位置被快速識(shí)別。

致晟光電產(chǎn)品之一,EMMI (微光顯微鏡)RTTLIT E20在半導(dǎo)體研發(fā)過(guò)程中是不可或缺的助力。當(dāng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)嘗試新的芯片架構(gòu)或制造工藝時(shí),難免會(huì)遭遇各種未知問(wèn)題。EMMI微光顯微鏡RTTLIT E20 能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)芯片在不同工作條件下的光發(fā)射情況,為研發(fā)人員提供直觀、詳細(xì)的電學(xué)性能反饋。通過(guò)分析這些光信號(hào)數(shù)據(jù),研發(fā)人員可以快速判斷新設(shè)計(jì)或新工藝是否存在潛在缺陷,及時(shí)調(diào)整優(yōu)化方案,加速新技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室到量產(chǎn)的轉(zhuǎn)化進(jìn)程,推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
EMMI是借助高靈敏探測(cè)器,捕捉芯片運(yùn)行時(shí)自然產(chǎn)生的“極其微弱光發(fā)射”。無(wú)損微光顯微鏡應(yīng)用
借助微光顯微鏡,研發(fā)團(tuán)隊(duì)能快速實(shí)現(xiàn)缺陷閉環(huán)驗(yàn)證。直銷(xiāo)微光顯微鏡售價(jià)
在芯片失效分析的流程中,失效背景調(diào)查相當(dāng)于提前設(shè)置好的“導(dǎo)航系統(tǒng)”,它能夠?yàn)榉治鋈藛T提供清晰的方向,幫助快速掌握樣品的整體情況,為后續(xù)環(huán)節(jié)奠定可靠基礎(chǔ)。
首先需要明確的是芯片的型號(hào)信息。不同型號(hào)的芯片在電路結(jié)構(gòu)、工作原理和設(shè)計(jì)目標(biāo)上都可能存在較大差異,因此型號(hào)的收集與確認(rèn)是所有分析工作的起點(diǎn)。緊隨其后的是應(yīng)用場(chǎng)景的梳理。
無(wú)論芯片是應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制還是航空航天等領(lǐng)域,使用環(huán)境和運(yùn)行負(fù)荷都會(huì)不同,這些條件會(huì)直接影響失效表現(xiàn)及其可能原因。 直銷(xiāo)微光顯微鏡售價(jià)