致晟光電在 Thermal EMMI 技術(shù)的基礎(chǔ)上，融合了自主研發(fā)的 實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相紅外熱分析技術(shù)（RTTLIT），提升了弱信號(hào)檢測能力。傳統(tǒng) Thermal EMMI 在處理極低功耗芯片或瞬態(tài)缺陷時(shí)，容易受到環(huán)境熱噪聲干擾，而鎖相技術(shù)可以在特定頻率下同步提取信號(hào)，將信噪比提升數(shù)倍，從而捕捉到更細(xì)微的發(fā)熱變化。這種技術(shù)組合不僅保留了 Thermal EMMI 的非接觸、無損檢測優(yōu)勢，還大幅拓寬了其應(yīng)用場景——從傳統(tǒng)的短路、漏電缺陷分析，延伸到納瓦級(jí)功耗的功耗芯片、電源管理芯片以及新型傳感器的可靠性驗(yàn)證。通過這一技術(shù)，致晟光電能夠?yàn)榭蛻籼峁└?、更快速的失效定位方案，減少剖片次數(shù)，降低分析成本，并提高產(chǎn)品開發(fā)迭代效率。在半導(dǎo)體行業(yè)高度集成化趨勢加速、制程工藝持續(xù)突破的當(dāng)下，熱紅外顯微鏡是失效分析領(lǐng)域得力工具。工業(yè)檢測熱紅外顯微鏡原理

Thermal EMMI（Thermal Emission Microscopy）是一種利用半導(dǎo)體器件在工作過程中微弱熱輻射和光發(fā)射信號(hào)進(jìn)行失效點(diǎn)定位的先進(jìn)顯微技術(shù)。它通過高靈敏度探測器捕捉納瓦級(jí)別的紅外信號(hào)，并結(jié)合光學(xué)放大系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)微米甚至亞微米級(jí)的空間分辨率。相比傳統(tǒng)的電子探針或電性測試，Thermal EMMI在非接觸、無損檢測方面有明顯優(yōu)勢，能夠在器件通電狀態(tài)下直接觀測局部發(fā)熱熱點(diǎn)或電流泄漏位置。這種技術(shù)在先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)（如 5nm、3nm）中尤為關(guān)鍵，因?yàn)槠骷Y(jié)構(gòu)復(fù)雜且供電電壓低，任何細(xì)微缺陷都會(huì)在熱輻射分布上體現(xiàn)。通過Thermal EMMI，工程師能夠快速鎖定失效區(qū)域，大幅減少剖片和反復(fù)驗(yàn)證的時(shí)間，為芯片研發(fā)和生產(chǎn)帶來高效的故障分析手段。檢測用熱紅外顯微鏡與光學(xué)顯微鏡對(duì)比半導(dǎo)體芯片失效分析（EFA）中的熱點(diǎn)定位。

熱紅外顯微鏡作為一種特殊的成像設(shè)備，能夠捕捉物體表面因溫度差異產(chǎn)生的紅外輻射，從而生成反映溫度分布的圖像。其原理基于任何物體只要溫度高于零度，就會(huì)不斷向外輻射紅外線，且溫度不同，輻射的紅外線波長和強(qiáng)度也存在差異。通過高靈敏度的紅外探測器和精密的光學(xué)系統(tǒng)，熱紅外顯微鏡可將這種細(xì)微的溫度變化轉(zhuǎn)化為清晰的圖像，實(shí)現(xiàn)對(duì)微觀結(jié)構(gòu)的溫度分布監(jiān)測。在半導(dǎo)體行業(yè)中，它能檢測芯片工作時(shí)的局部過熱區(qū)域，為分析器件功耗和潛在故障提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)，是電子器件熱特性研究的重要工具。

熱紅外顯微鏡在材料科學(xué)研究中有著廣泛應(yīng)用。對(duì)于新型復(fù)合材料，其內(nèi)部不同組分的導(dǎo)熱性能存在差異，在外界溫度變化或通電工作時(shí)，表面溫度分布會(huì)呈現(xiàn)不均勻性。熱紅外顯微鏡能以超高的空間分辨率捕捉這種溫度差異，清晰展示材料內(nèi)部的熱傳導(dǎo)路徑和熱點(diǎn)分布。研究人員通過分析這些圖像，可深入了解材料的熱物理特性，為優(yōu)化材料配方、改進(jìn)制備工藝提供依據(jù)。比如在研發(fā)高導(dǎo)熱散熱材料時(shí)，借助熱紅外顯微鏡能直觀觀察不同添加成分對(duì)材料散熱性能的影響，加速高性能材料的研發(fā)進(jìn)程。熱紅外顯微鏡儀器內(nèi)置校準(zhǔn)系統(tǒng)，定期校準(zhǔn)可確保長期使用中微觀溫度測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。

在半導(dǎo)體芯片的失效分析和可靠性研究中，溫度分布往往是**關(guān)鍵的參考參數(shù)之一。由于芯片結(jié)構(gòu)高度集成，任何局部的異常發(fā)熱都可能導(dǎo)致電性能下降，甚至出現(xiàn)器件擊穿等嚴(yán)重問題。傳統(tǒng)的接觸式測溫方法無法滿足高分辨率與非破壞性檢測的需求，而熱紅外顯微鏡憑借其非接觸、實(shí)時(shí)成像的優(yōu)勢，為工程師提供了精細(xì)的解決方案。通過捕捉芯片表面微小的紅外輻射信號(hào)，熱紅外顯微鏡能夠清晰還原器件的熱分布情況，直觀顯示出局部過熱、散熱不均等問題。尤其在先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)下，熱紅外顯微鏡幫助研發(fā)團(tuán)隊(duì)快速識(shí)別潛在失效點(diǎn)，為工藝優(yōu)化提供可靠依據(jù)。這一技術(shù)不僅***提升了檢測效率，也在保障器件長期穩(wěn)定性和**性方面發(fā)揮著重要作用。紅外顯微鏡系統(tǒng)(Thermal Emission microscopy system)，是半導(dǎo)體失效分析和缺陷檢測的常用的三大手段之一。實(shí)時(shí)成像熱紅外顯微鏡圖像分析

熱紅外顯微鏡范圍：溫度測量范圍廣，可覆蓋 - 200℃至 1500℃，適配低溫超導(dǎo)材料到高溫金屬樣品的檢測。工業(yè)檢測熱紅外顯微鏡原理

thermal emmi（熱紅外顯微鏡）是結(jié)合了熱成像與光電發(fā)射檢測技術(shù)的先進(jìn)設(shè)備，它不僅能捕捉半導(dǎo)體器件因缺陷產(chǎn)生的微弱光信號(hào)，還能同步記錄缺陷區(qū)域的溫度變化，實(shí)現(xiàn)光信號(hào)與熱信號(hào)的協(xié)同分析。當(dāng)半導(dǎo)體器件存在漏電等缺陷時(shí)，除了會(huì)產(chǎn)生載流子復(fù)合發(fā)光，往往還會(huì)伴隨局部溫度升高，thermal emmi 通過整合兩種檢測方式，可更好地反映缺陷的特性。例如，在檢測功率半導(dǎo)體器件時(shí)，它能同時(shí)定位漏電產(chǎn)生的微光信號(hào)和因漏電導(dǎo)致的局部過熱點(diǎn)，幫助工程師判斷缺陷的類型和嚴(yán)重程度，為失效分析提供更豐富的信息。工業(yè)檢測熱紅外顯微鏡原理