場(chǎng)效應(yīng)管夾斷問(wèn)題
懸賞分：20|
場(chǎng)效應(yīng)管vDS加大從漏端開(kāi)始夾斷請(qǐng)各位大俠從載流子運(yùn)動(dòng)角度說(shuō)明下 謝謝
NMOS例當(dāng)柵極加高電平P型襯底形成N溝道：由于柵極電平比柵下p襯底電平（襯底與S起接地）高由于電場(chǎng)作用吸引了少數(shù)載流子--電子與兩有源區(qū)形成N溝道時(shí)加大了Vds相當(dāng)提高了D端（漏端）電平使得柵下襯底靠近D端端電平也提高相應(yīng)電場(chǎng)開(kāi)始減弱也說(shuō)柵下靠近D端電場(chǎng)比靠近S端電場(chǎng)要弱若Vds繼續(xù)增加使得D端電平與柵極G電平相等則柵下靠近D端電場(chǎng)相應(yīng)減0能吸引電子形成N溝道夾斷開(kāi)始從漏端形成并隨著漏端電平上升而開(kāi)始往源端S擴(kuò)散形成溝道夾斷時(shí)電流出現(xiàn)飽和載流子（電子）只能夾斷區(qū)緊貼著柵下薄層向漏端運(yùn)動(dòng)其運(yùn)動(dòng)受限制電流飽和微觀機(jī)理
好
不好我來(lái)回答這個(gè)問(wèn)題
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