其 他 回 答共2條
1樓
電腦存儲器分類、RAM(Random Access Memory隨機存取存儲器) RAM特點：電腦開機時操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序所有正運行數(shù)據(jù)和程序都會放置其并且隨時對存放里面數(shù)據(jù)進行修改和存取工作需要由持續(xù)電力提供旦系統(tǒng)斷電存放里面所有數(shù)據(jù)和程序都會自動清空掉并且再也無法恢復 根據(jù)組成元件同RAM內(nèi)存又分下十八種： 01.DRAM（DynamicRAM動態(tài)隨機存取存儲器） 普通RAM電子管與電容器組成位存儲單元DRAM每內(nèi)存位作電荷保存位存儲單元用電容充放電來做儲存動作因電容本身有漏電問題因此必須每幾微秒要刷新次否則數(shù)據(jù)會丟失存取時間和放電時間致約2~4ms因成本比較便宜通常都用作計算機內(nèi)主存儲器 02.SRAM（StaticRAM靜態(tài)隨機存取存儲器） 靜態(tài)指內(nèi)存里面數(shù)據(jù)長駐其而需要隨時進行存取每6顆電子管組成位存儲單元因沒有電容器因此無須斷充電即正常運作因此比般動態(tài)隨機處理內(nèi)存處理速度更快更穩(wěn)定往往用來做高速緩存 03.VRAM（VideoRAM視頻內(nèi)存） 主要功能顯卡視頻數(shù)據(jù)輸出數(shù)模轉(zhuǎn)換器有效降低繪圖顯示芯片工作負擔采用雙數(shù)據(jù)口設(shè)計其數(shù)據(jù)口并行式數(shù)據(jù)輸出入口另串行式數(shù)據(jù)輸出口多用于高級顯卡高檔內(nèi)存 04.FPM DRAM（FastPage Mode DRAM快速頁切換模式動態(tài)隨機存取存儲器） 改良版DRAM大多數(shù)72Pin或30Pin模塊傳統(tǒng)DRAM存取BIT數(shù)據(jù)時必須送出行地址和列地址各次才能讀寫數(shù)據(jù)而FRM DRAM觸發(fā)了行地址CPU需要地址同行內(nèi)則連續(xù)輸出列地址而必再輸出行地址了由于般程序和數(shù)據(jù)內(nèi)存排列地址連續(xù)種情況下輸出行地址連續(xù)輸出列地址得所需要數(shù)據(jù)FPM記憶體內(nèi)部隔成許多頁數(shù)Pages從512B數(shù)KB等讀取連續(xù)區(qū)域內(nèi)數(shù)據(jù)時通過快速頁切換模式來直接讀取各page內(nèi)資料從而大大提高讀取速度96年前486時代和PENTIUM時代初期FPM DRAM被大量使用 05.EDO DRAM（ExtendedData Out DRAM延伸數(shù)據(jù)輸出動態(tài)隨機存取存儲器） 繼FPM之出現(xiàn)種存儲器般72Pin、168Pin模塊需要像FPM DRAM樣存取每BIT 數(shù)據(jù)時必須輸出行地址和列地址并使其穩(wěn)定段時間才能讀寫有效數(shù)據(jù)而下BIT地址必須等待次讀寫操作完成才能輸出因此大大縮短等待輸出地址時間其存取速度般比FPM模式快15%左右般應(yīng)用于檔下Pentium主板標準內(nèi)存期486系統(tǒng)開始支持EDO DRAM96年期EDODRAM開始執(zhí)行 06.BEDO DRAM（BurstExtended Data Out DRAM爆發(fā)式延伸數(shù)據(jù)輸出動態(tài)隨機存取存儲器） 改良型EDO DRAM由美光公司提出芯片上增加了地址計數(shù)器來追蹤下地址突發(fā)式讀取方式也當數(shù)據(jù)地址被送出剩下三數(shù)據(jù)每都只需要周期能讀取因此次存取多組數(shù)據(jù)速度比EDO DRAM快支持BEDO DRAM內(nèi)存主板謂少之又少只有極少幾款提供支持（VIA APOLLO VP2）因此快被DRAM取代了 07.MDRAM（Multi-BankDRAM多插槽動態(tài)隨機存取存儲器） MoSys公司提出種內(nèi)存規(guī)格其內(nèi)部分成數(shù)類別同小儲存庫 (BANK)也即由數(shù)屬立小單位矩陣所構(gòu)成每儲存庫之間高于外部資料速度相互連接般應(yīng)用于高速顯示卡或加速卡也有少數(shù)主機板用于L2高速緩存 08.WRAM（WindowRAM窗口隨機存取存儲器） 韓國Samsung公司開發(fā)內(nèi)存模式VRAM內(nèi)存改良版同之處控制線路有、二十組輸入/輸出控制器并采用EDO資料存取模式,因此速度相對較快另外還提供了區(qū)塊搬移功能（BitBlt）應(yīng)用于專業(yè)繪圖工作上 09.RDRAM（RambusDRAM高頻動態(tài)隨機存取存儲器） Rambus公司獨立設(shè)計完成種內(nèi)存模式速度般達500~530MB/sDRAM10倍上使用該內(nèi)存內(nèi)存控制器需要作相當大改變因此們般應(yīng)用于專業(yè)圖形加速適配卡或者電視游戲機視頻內(nèi)存 10.SDRAM（SynchronousDRAM同步動態(tài)隨機存取存儲器） 種與CPU實現(xiàn)外頻Clock同步內(nèi)存模式般都采用168Pin內(nèi)存模組工作電壓3.3V 所謂clock同步指內(nèi)存能夠與CPU同步存取資料樣取消等待周期減少數(shù)據(jù)傳輸延遲因此提升計算機性能和效率 11.SGRAM（SynchronousGraphics RAM同步繪圖隨機存取存儲器） SDRAM改良版區(qū)塊Block即每32bit基本存取單位別地取回或修改存取資料減少內(nèi)存整體讀寫次數(shù)另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器并提供區(qū)塊搬移功能（BitBlt）效率明顯高于SDRAM 12.SB SRAM（SynchronousBurst SRAM同步爆發(fā)式靜態(tài)隨機存取存儲器） 般SRAM非同步了適應(yīng)CPU越來越快速度需要使工作時脈變得與系統(tǒng)同步SB SRAM產(chǎn)生原因 13.PB SRAM（PipelineBurst SRAM管線爆發(fā)式靜態(tài)隨機存取存儲器） CPU外頻速度迅猛提升對與其相搭配內(nèi)存提出了更高要求管線爆發(fā)式SRAM取代同步爆發(fā)式SRAM成必選擇因有效地延長存取時脈從而有效提高訪問速度 14.DDR SDRAM（DoubleData Rate二倍速率同步動態(tài)隨機存取存儲器） 作SDRAM換代產(chǎn)品具有兩大特點：其速度比SDRAM有倍提高；其二采用了DLL（Delay Locked Loop：延時鎖定回路）提供數(shù)據(jù)濾波信號目前內(nèi)存市場上主流模式 15.SLDRAM （SynchronizeLink同步鏈環(huán)動態(tài)隨機存取存儲器） 種擴展型SDRAM結(jié)構(gòu)內(nèi)存增加了更先進同步電路同時還改進了邏輯控制電路過由于技術(shù)顯示投入實用難度小 16.CDRAM（CACHEDDRAM同步緩存動態(tài)隨機存取存儲器） 三菱電氣公司首先研制專利技術(shù)DRAM芯片外部插針和內(nèi)部DRAM之間插入SRAM作二級CACHE使用當前幾乎所有CPU都裝有級CACHE來提高效率隨著CPU時鐘頻率成倍提高CACHE被選對系統(tǒng)性能產(chǎn)生影響會越來越大而CACHEDRAM所提供二級CACHE正好用補充CPU級CACHE之足因此能極大地提高CPU效率 17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM第二代同步雙倍速率動態(tài)隨機存取存儲器) DDRII DDR原有SLDRAM聯(lián)盟于1999年解散既有研發(fā)成與DDR整合之未來新標準DDRII詳細規(guī)格目前尚未確定 18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM) 下代主流內(nèi)存標準之由Rambus公司所設(shè)計發(fā)展出來所有接腳都連結(jié)共同Bus樣減少控制器體積已增加資料傳送效率 二、ROM(READ Only Memory只讀存儲器) ROM線路簡單半導體電路通過掩模工藝次性制造元件正常工作情況下其代碼與數(shù)據(jù)永久保存并且能夠進行修改般應(yīng)用于PC系統(tǒng)程序碼、主機板上 BIOS (基本輸入/輸出系統(tǒng)Basic Input/Output System)等讀取速度比RAM慢多 根據(jù)組成元件同ROM內(nèi)存又分下五種： 1.MASK ROM（掩模型只讀存儲器） 制造商了大量生產(chǎn)ROM內(nèi)存需要先制作顆有原始數(shù)據(jù)ROM或EPROM作樣本再大量復制樣本MASK ROM而燒錄MASK ROM資料永遠無法做修改成本比較低 2.PROM（ProgrammableROM編程只讀存儲器） 種用刻錄機資料寫入ROM內(nèi)存只能寫入次所也被稱次編程只讀存儲器(One Time Progarmming ROMOTP-ROM)PROM出廠時存儲內(nèi)容全1用戶根據(jù)需要其某些單元寫入數(shù)據(jù)0(部分PROM出廠時數(shù)據(jù)全0則用戶其部分單元寫入1) 實現(xiàn)對其編程目 3.EPROM（ErasableProgrammable擦編程只讀存儲器） 種具有擦除功能擦除即進行再編程ROM內(nèi)存寫入前必須先把里面內(nèi)容用紫外線照射IC卡上透明視窗方式來清除掉類芯片比較容易識別其封裝包含有石英玻璃窗編程EPROM芯片石英玻璃窗般使用黑色干膠紙蓋住 防止遭陽光直射 4.EEPROM（ElectricallyErasable Programmable電擦編程只讀存儲器） 功能與使用方式與EPROM樣同之處清除數(shù)據(jù)方式約20V電壓來進行清除另外還用電信號進行數(shù)據(jù)寫入類ROM內(nèi)存多應(yīng)用于即插即用（PnP）接口 5.Flash Memory（快閃存儲器） 種直接主機板上修改內(nèi)容而需要IC拔下內(nèi)存當電源關(guān)掉儲存里面資料并會流失掉寫入資料時必須先原本資料清除掉才能再寫入新資料缺點寫入資料速度太慢
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|列兵
