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|列兵
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SRAM靜態(tài)的隨機(jī)存儲(chǔ)器: 特點(diǎn)是工作速度快,只要電源不撤除,寫(xiě)入SRAM的信息就不會(huì)消失,不需要刷新電路,同時(shí)在讀出時(shí)不破壞原來(lái)存放的信息,一經(jīng)寫(xiě)入可多次讀出,但集成度較低,功耗較大。SRAM一般用來(lái)作為計(jì)算機(jī)中的高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)。
DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory): 它是利用場(chǎng)效應(yīng)管的柵極對(duì)其襯底間的分布電容來(lái)保存信息,以存儲(chǔ)電荷的多少,即電容端電壓的高低來(lái)表示“1”和“0”。DRAM每個(gè)存儲(chǔ)單元所需的場(chǎng)效應(yīng)管較少,常見(jiàn)的有4管,3管和單管型DRAM。因此它的集成度較高,功耗也較低,但缺點(diǎn)是保存在DRAM中的信息__場(chǎng)效應(yīng)管柵極分布電容里的信息隨著電容器的漏電而會(huì)逐漸消失,一般信息保存時(shí)間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息,必須每隔1~2ms對(duì)其刷新一次。因此,采用 DRAM的計(jì)算機(jī)必須配置動(dòng)態(tài)刷新電路,防止信息丟失。DRAM一般用作計(jì)算機(jī)中的主存儲(chǔ)器。
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