為什么沒有大功率的 光耦繼電器
懸賞分：20|
既然已經(jīng)有超低導通電阻的功率MOS管，比如IRF1404 ，12v時只有三點幾mΩ。。。10A電流下耗散功率不到0.4W
還有更強的管例如 IPB009N03L 4.5V低壓時導通內(nèi)阻也只有一點幾毫歐。12v就小于1毫歐了，這樣的mos管應對十幾安陪的電流根本是小菜一碟，連散熱都不用。
而且我自己也試過用光耦控制mos管，用起來就像完美的固態(tài)繼電器，但這畢竟是分立元件，在某些空間狹小的設計里很不方便。
令我更糾結的是，市面上所能找到的所謂光耦繼電器，大多1A電流都無法承受，而且導通電阻居然是歐姆級的。
更令我糾結的是，市面上能找到的**能承受大功率的“固態(tài)繼電器”不僅體積巨大，而且居然幾乎都是可控硅控制的，可控硅那接近1V的壓降非常的然人哭笑不得。
于是，我的疑問誕生了。為什么就沒有人生產(chǎn)mosfet功率固態(tài)繼電器呢？
為什么把一只超低內(nèi)阻mos管和一顆光耦封裝在一起呢么難呢？
用分立元件組合的成本不過幾元。
為什么就沒有人生產(chǎn)一體封裝。
國外有沒有我不知道。
反正這邊是聽都沒聽過。
請不要草草回答，我是認真的。請幫我分析一下，為什么目前沒有這種東西。。。
還有更強的管例如 IPB009N03L 4.5V低壓時導通內(nèi)阻也只有一點幾毫歐。12v就小于1毫歐了，這樣的mos管應對十幾安陪的電流根本是小菜一碟，連散熱都不用。
而且我自己也試過用光耦控制mos管，用起來就像完美的固態(tài)繼電器，但這畢竟是分立元件，在某些空間狹小的設計里很不方便。
令我更糾結的是，市面上所能找到的所謂光耦繼電器，大多1A電流都無法承受，而且導通電阻居然是歐姆級的。
更令我糾結的是，市面上能找到的**能承受大功率的“固態(tài)繼電器”不僅體積巨大，而且居然幾乎都是可控硅控制的，可控硅那接近1V的壓降非常的然人哭笑不得。
于是，我的疑問誕生了。為什么就沒有人生產(chǎn)mosfet功率固態(tài)繼電器呢？
為什么把一只超低內(nèi)阻mos管和一顆光耦封裝在一起呢么難呢？
用分立元件組合的成本不過幾元。
為什么就沒有人生產(chǎn)一體封裝。
國外有沒有我不知道。
反正這邊是聽都沒聽過。
請不要草草回答，我是認真的。請幫我分析一下，為什么目前沒有這種東西。。。
你好,針對你的功率固態(tài)繼電器問題,首先要知道固態(tài)繼電器常用于交流低頻的電路中,如交流220V的負載:風扇,發(fā)熱器等,它能雙方向電流導通.而功率MOS管只能應用于直流電中,是單方向電流,反向電流是不能工作的,在它內(nèi)部源,漏極,還有反向二極管,控制極也要求正電平或0電平驅(qū)動,這些因素就影響了它不能用于固態(tài)繼電器的原因.可能你又會有用"正反都能導通的MOS并聯(lián)"的想法.但這樣使控制信號有正反轉功能,這樣也不方便,因為交流電壓還有過0時候,MOS管也會關閉的.行不通.
但可控硅不同,電壓過0時,也在導通狀態(tài).
如你把一只超低內(nèi)阻mos管和一顆光耦封裝在一起去控制直流電是可以的,如逆變器的橋臂.還起到隔離信號的作用.
但可控硅不同,電壓過0時,也在導通狀態(tài).
如你把一只超低內(nèi)阻mos管和一顆光耦封裝在一起去控制直流電是可以的,如逆變器的橋臂.還起到隔離信號的作用.
好
不好其 他 回 答共2條
1樓
試著探討一下，固態(tài)繼電器實際都是由可控硅、和mos管封裝的模塊。采用光電耦合，是擺脫前后級的電氣控制連接，這就是較好的大功率控制器件了。你用分立元件組成一個固態(tài)繼電器，和成品固態(tài)繼電器價格相差好多的，一個5A 380V的固態(tài)繼電器9元，你用分立元件做9元是不夠的。
另外光耦不像遙控和搜索報警設備，不需要遠距離使用，所以不用制作大功率的，你說是嗎。
另外光耦不像遙控和搜索報警設備，不需要遠距離使用，所以不用制作大功率的，你說是嗎。
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