其 他 回 答共2條
1樓
當金屬與半導體接觸時費米能級匹配要求導致了
金屬與半導體之間電荷轉移勢壘通常叫肖特基勢壘
由于金屬和半導體功函數(shù)同而產(chǎn)生肖特基二極
管利用肖特基勢壘整流特性做成與pn結二極
管有兒乎相同等效電路相似伏安特性其電容和耗盡
層寬度計算與單邊突變結樣肖特基二極管
與pn結二極管相比具有下優(yōu)點:a.特別低正向壓降;
卜.高耐沖擊電流能力;c.低反向恢復時間
對SB160其特性參數(shù)解釋下：
VRRM（大反向電壓）：60V；
IO（大整流電流）：1A；
IFSM（大正向突波電流）：30A；
VF小于0.7V@1A；
IR小于500uA@60V
上FYIthanks!!!
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