什么是閃存
懸賞分：20|
閃存卡（Flash Card）是利用“閃存技術(shù)”達(dá)到存儲(chǔ)電子信息的存儲(chǔ)器，一般應(yīng)用在 數(shù)碼相機(jī)，掌上電腦，MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中作為存儲(chǔ)介質(zhì)，所以樣子小巧有如一張卡片， 所以稱之為閃存卡。根據(jù)不同的生產(chǎn)廠商和不同的應(yīng)用，閃存卡大概有:
SmartMedia（SM卡）
Compact Flash（CF卡）
MultiMediaCard（MMC卡）
Secure Digital（SD卡）
MemoryStick（記憶棒）
XD-Picture Card（XD卡）
微硬盤（MICRODRIVE）
這些閃存卡雖然外觀、規(guī)格不同，但是技術(shù)原理都是相同的
閃存是基于USB接口和FlashMemo■ry閃存芯片存儲(chǔ)介質(zhì)、無(wú)需驅(qū)動(dòng)器的存儲(chǔ)器，具有無(wú)驅(qū)動(dòng)、速度快、體積小、兼容性好、攜帶方便、容量大、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。
閃存以普及的USB接口作為與計(jì)算機(jī)溝通的橋梁，并且最高可達(dá)到2GB的儲(chǔ)存空間。即插即用的功能使得計(jì)算機(jī)可以自動(dòng)偵測(cè)到此裝置，使用者只需將它插入計(jì)算機(jī)USB接口就可以使用，就像一般抽取式磁盤裝置，讀寫檔案、復(fù)制及刪除方法與一般操作方式完全相同。
目前流行的迷你移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品幾乎都是以閃存作為存儲(chǔ)介質(zhì)。閃存作為一種非揮發(fā)性（簡(jiǎn)單說(shuō)就是在不加電的情況下數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失，區(qū)別于目前常用的計(jì)算機(jī)內(nèi)存）的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片，具有體積小、功耗低、不易受物理破壞的優(yōu)點(diǎn)，是移動(dòng)數(shù)碼產(chǎn)品的理想存儲(chǔ)介質(zhì)。隨著價(jià)格的不斷下降以及容量、密度的不斷提高，閃存開(kāi)始向通用化的移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品發(fā)展。
閃存有許多種類型，從結(jié)構(gòu)上分主要有AND、NAND、NOR、DiNOR等，其中NAND和NOR是目前最為常見(jiàn)的類型。NOR型閃存是目前大家接觸得最多的閃存，它在存儲(chǔ)格式和讀寫方式上都與大家常用的內(nèi)存相近，支持隨機(jī)讀寫，具有較高的速度，這也使其非常適合存儲(chǔ)程序及相關(guān)數(shù)據(jù)，手機(jī)就是它的用武之地。但是NOR型的最大缺點(diǎn)就是容量小，Intel最近才發(fā)布了采用0.13μm工藝生產(chǎn)的64Mb芯片。與NOR型相比，NAND型閃存的優(yōu)點(diǎn)就是容量大，在去年512Mb的芯片就不是稀罕事了。但是，NAND型的速度比較慢，因?yàn)樗腎/O端口只有8個(gè)，比NOR型的少多了。區(qū)區(qū)8個(gè)端口需要完成地址和數(shù)據(jù)的傳輸就得讓這些信號(hào)輪流傳送，很顯然，這種時(shí)候串行傳輸比NOR型、內(nèi)存等芯片的并行傳輸慢許多。但是，NAND型的存儲(chǔ)和傳輸是以頁(yè)和塊為單位的（一頁(yè)包含若干字節(jié)，若干頁(yè)組成塊），相對(duì)適合大數(shù)據(jù)的連續(xù)傳輸，這樣也可以部分彌補(bǔ)串行傳輸?shù)牟焕Ｒ虼?，NAND型閃存最適合的工作就是保存大容量的數(shù)據(jù)，作為電子硬盤、移動(dòng)存儲(chǔ)介質(zhì)等使用。
為了在各種設(shè)備上使用，閃存必須通過(guò)各種接口與設(shè)備連接：與電腦連接最常用的接口有USB、PCMCIA等；與數(shù)碼設(shè)備連接則有專用的接口和外形規(guī)范，如CF、SM、MMC、SD、Memory Stick等，其中應(yīng)用面最廣、擴(kuò)展能力較強(qiáng)的是CF和Memory Stick。
SmartMedia（SM卡）
Compact Flash（CF卡）
MultiMediaCard（MMC卡）
Secure Digital（SD卡）
MemoryStick（記憶棒）
XD-Picture Card（XD卡）
微硬盤（MICRODRIVE）
這些閃存卡雖然外觀、規(guī)格不同，但是技術(shù)原理都是相同的
閃存是基于USB接口和FlashMemo■ry閃存芯片存儲(chǔ)介質(zhì)、無(wú)需驅(qū)動(dòng)器的存儲(chǔ)器，具有無(wú)驅(qū)動(dòng)、速度快、體積小、兼容性好、攜帶方便、容量大、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。
閃存以普及的USB接口作為與計(jì)算機(jī)溝通的橋梁，并且最高可達(dá)到2GB的儲(chǔ)存空間。即插即用的功能使得計(jì)算機(jī)可以自動(dòng)偵測(cè)到此裝置，使用者只需將它插入計(jì)算機(jī)USB接口就可以使用，就像一般抽取式磁盤裝置，讀寫檔案、復(fù)制及刪除方法與一般操作方式完全相同。
目前流行的迷你移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品幾乎都是以閃存作為存儲(chǔ)介質(zhì)。閃存作為一種非揮發(fā)性（簡(jiǎn)單說(shuō)就是在不加電的情況下數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失，區(qū)別于目前常用的計(jì)算機(jī)內(nèi)存）的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片，具有體積小、功耗低、不易受物理破壞的優(yōu)點(diǎn)，是移動(dòng)數(shù)碼產(chǎn)品的理想存儲(chǔ)介質(zhì)。隨著價(jià)格的不斷下降以及容量、密度的不斷提高，閃存開(kāi)始向通用化的移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品發(fā)展。
閃存有許多種類型，從結(jié)構(gòu)上分主要有AND、NAND、NOR、DiNOR等，其中NAND和NOR是目前最為常見(jiàn)的類型。NOR型閃存是目前大家接觸得最多的閃存，它在存儲(chǔ)格式和讀寫方式上都與大家常用的內(nèi)存相近，支持隨機(jī)讀寫，具有較高的速度，這也使其非常適合存儲(chǔ)程序及相關(guān)數(shù)據(jù)，手機(jī)就是它的用武之地。但是NOR型的最大缺點(diǎn)就是容量小，Intel最近才發(fā)布了采用0.13μm工藝生產(chǎn)的64Mb芯片。與NOR型相比，NAND型閃存的優(yōu)點(diǎn)就是容量大，在去年512Mb的芯片就不是稀罕事了。但是，NAND型的速度比較慢，因?yàn)樗腎/O端口只有8個(gè)，比NOR型的少多了。區(qū)區(qū)8個(gè)端口需要完成地址和數(shù)據(jù)的傳輸就得讓這些信號(hào)輪流傳送，很顯然，這種時(shí)候串行傳輸比NOR型、內(nèi)存等芯片的并行傳輸慢許多。但是，NAND型的存儲(chǔ)和傳輸是以頁(yè)和塊為單位的（一頁(yè)包含若干字節(jié)，若干頁(yè)組成塊），相對(duì)適合大數(shù)據(jù)的連續(xù)傳輸，這樣也可以部分彌補(bǔ)串行傳輸?shù)牟焕Ｒ虼?，NAND型閃存最適合的工作就是保存大容量的數(shù)據(jù)，作為電子硬盤、移動(dòng)存儲(chǔ)介質(zhì)等使用。
為了在各種設(shè)備上使用，閃存必須通過(guò)各種接口與設(shè)備連接：與電腦連接最常用的接口有USB、PCMCIA等；與數(shù)碼設(shè)備連接則有專用的接口和外形規(guī)范，如CF、SM、MMC、SD、Memory Stick等，其中應(yīng)用面最廣、擴(kuò)展能力較強(qiáng)的是CF和Memory Stick。
好
不好其 他 回 答共5條
1樓
NAND、NOR閃存的基本原理
無(wú)論NAND還是NOR，都是閃存(Flash Memory)家族中的成員，兩者在基本的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式和操作機(jī)理上都完全相同。閃存以單晶體管作為二進(jìn)制信號(hào)的存儲(chǔ)單元，它的結(jié)構(gòu)與普通的半導(dǎo)體晶體管(場(chǎng)效應(yīng)管)非常類似，區(qū)別在于閃存的晶體管加入了“浮動(dòng)?xùn)?floating gate)”和“控制柵(Control gate)”—前者用于貯存電子，表面被一層硅氧化物絕緣體所包覆，并通過(guò)電容與控制柵相耦合。當(dāng)負(fù)電子在控制柵的作用下被注入到浮動(dòng)?xùn)胖袝r(shí)，該NAND單晶體管的存儲(chǔ)狀態(tài)就由1變成0。相對(duì)來(lái)說(shuō)，當(dāng)負(fù)電子從浮動(dòng)?xùn)胖幸谱吆?，存?chǔ)狀態(tài)就由0變成1；而包覆在浮動(dòng)?xùn)疟砻娴慕^緣體的作用就是將內(nèi)部的電子“困住”，達(dá)到保存數(shù)據(jù)的目的。如果要寫入數(shù)據(jù)，就必須將浮動(dòng)?xùn)胖械呢?fù)電子全部移走，令目標(biāo)存儲(chǔ)區(qū)域都處于1狀態(tài)，這樣只有遇到數(shù)據(jù)0時(shí)才發(fā)生寫入動(dòng)作—但這個(gè)過(guò)程需要耗費(fèi)不短的時(shí)間，導(dǎo)致不管是NAND還是NOR型閃存，其寫入速度總是慢于數(shù)據(jù)讀取的速度。
雖然基本原理相同，但閃存可以有不同的電荷生成與存儲(chǔ)方案。其中應(yīng)用最廣泛的是“通道熱電子編程(Channel Hot Electron，CHE)”，該方法通過(guò)對(duì)控制柵施加高電壓，使傳導(dǎo)電子在電場(chǎng)的作用下突破絕緣體的屏障進(jìn)入到浮動(dòng)?xùn)艃?nèi)部，反之亦然，以此來(lái)完成寫入或者抹除動(dòng)作；另一種方法被稱為“Fowler-Nordheim(FN)隧道效應(yīng)法”，它是直接在絕緣層兩側(cè)施加高電壓形成高強(qiáng)度電場(chǎng)，幫助電子穿越氧化層通道進(jìn)出浮動(dòng)?xùn)?。NOR閃存同時(shí)使用上述兩種方法，CHE用于數(shù)據(jù)寫入，支持單字節(jié)或單字編程；FN法則用于擦除，但NOR不能單字節(jié)擦除，必須以塊為單位或?qū)φ瑓^(qū)域執(zhí)行擦除操作，由于擦除和編程速度慢、塊尺寸也較大，使得NOR閃存在擦除和編程操作中所花費(fèi)的時(shí)間很長(zhǎng)，無(wú)法勝任純數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和文件存儲(chǔ)之類的應(yīng)用，但它的優(yōu)點(diǎn)是可支持代碼本地直接運(yùn)行；其次，NOR閃存采用隨機(jī)存儲(chǔ)方式，設(shè)備可以直接存取任意區(qū)域的數(shù)據(jù)，因此NOR閃存底部有大量的信號(hào)引腳，且每個(gè)單晶體管都需要輔助讀寫的邏輯，晶體管利用效率較低、容量不占優(yōu)勢(shì)。而NAND閃存采用FN法寫入和擦除，且采用一種“頁(yè)面-塊”尋址的統(tǒng)一存儲(chǔ)方式，單晶體管的結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，存儲(chǔ)密度較高，擦除動(dòng)作很快，但缺陷在于讀出性能平平且不支持代碼本地執(zhí)行。另一個(gè)不可忽視的地方在于，NAND閃存很容易出現(xiàn)壞塊，制造商通過(guò)虛擬映射的方式將其屏蔽，這一點(diǎn)很類似于硬盤。
目前，NOR陣營(yíng)的廠商主要有英特爾與Spansion，后者為AMD與富士通閃存部門合并成立的新企業(yè)，英特爾目前的市場(chǎng)份額稍高，而Spansion則在技術(shù)上具有一定的優(yōu)勢(shì)，該公司在2005年10月份推出1Gb容量的NOR閃存，創(chuàng)下NOR的最高容量記錄。NAND領(lǐng)域的半導(dǎo)體廠商主要包括三星、現(xiàn)代(Hynix)、東芝、美國(guó)IM快閃科技(英特爾與美光科技近日成立的合資公司)等，其中三星占據(jù)的份額超過(guò)50%，居絕對(duì)的領(lǐng)先地位，該公司在2005年9月份推出16Gb密度的NAND閃存，但要等到今年下半年才有機(jī)會(huì)進(jìn)入實(shí)質(zhì)性的量產(chǎn)階段。
無(wú)論NAND還是NOR，都是閃存(Flash Memory)家族中的成員，兩者在基本的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式和操作機(jī)理上都完全相同。閃存以單晶體管作為二進(jìn)制信號(hào)的存儲(chǔ)單元，它的結(jié)構(gòu)與普通的半導(dǎo)體晶體管(場(chǎng)效應(yīng)管)非常類似，區(qū)別在于閃存的晶體管加入了“浮動(dòng)?xùn)?floating gate)”和“控制柵(Control gate)”—前者用于貯存電子，表面被一層硅氧化物絕緣體所包覆，并通過(guò)電容與控制柵相耦合。當(dāng)負(fù)電子在控制柵的作用下被注入到浮動(dòng)?xùn)胖袝r(shí)，該NAND單晶體管的存儲(chǔ)狀態(tài)就由1變成0。相對(duì)來(lái)說(shuō)，當(dāng)負(fù)電子從浮動(dòng)?xùn)胖幸谱吆?，存?chǔ)狀態(tài)就由0變成1；而包覆在浮動(dòng)?xùn)疟砻娴慕^緣體的作用就是將內(nèi)部的電子“困住”，達(dá)到保存數(shù)據(jù)的目的。如果要寫入數(shù)據(jù)，就必須將浮動(dòng)?xùn)胖械呢?fù)電子全部移走，令目標(biāo)存儲(chǔ)區(qū)域都處于1狀態(tài)，這樣只有遇到數(shù)據(jù)0時(shí)才發(fā)生寫入動(dòng)作—但這個(gè)過(guò)程需要耗費(fèi)不短的時(shí)間，導(dǎo)致不管是NAND還是NOR型閃存，其寫入速度總是慢于數(shù)據(jù)讀取的速度。
雖然基本原理相同，但閃存可以有不同的電荷生成與存儲(chǔ)方案。其中應(yīng)用最廣泛的是“通道熱電子編程(Channel Hot Electron，CHE)”，該方法通過(guò)對(duì)控制柵施加高電壓，使傳導(dǎo)電子在電場(chǎng)的作用下突破絕緣體的屏障進(jìn)入到浮動(dòng)?xùn)艃?nèi)部，反之亦然，以此來(lái)完成寫入或者抹除動(dòng)作；另一種方法被稱為“Fowler-Nordheim(FN)隧道效應(yīng)法”，它是直接在絕緣層兩側(cè)施加高電壓形成高強(qiáng)度電場(chǎng)，幫助電子穿越氧化層通道進(jìn)出浮動(dòng)?xùn)?。NOR閃存同時(shí)使用上述兩種方法，CHE用于數(shù)據(jù)寫入，支持單字節(jié)或單字編程；FN法則用于擦除，但NOR不能單字節(jié)擦除，必須以塊為單位或?qū)φ瑓^(qū)域執(zhí)行擦除操作，由于擦除和編程速度慢、塊尺寸也較大，使得NOR閃存在擦除和編程操作中所花費(fèi)的時(shí)間很長(zhǎng)，無(wú)法勝任純數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和文件存儲(chǔ)之類的應(yīng)用，但它的優(yōu)點(diǎn)是可支持代碼本地直接運(yùn)行；其次，NOR閃存采用隨機(jī)存儲(chǔ)方式，設(shè)備可以直接存取任意區(qū)域的數(shù)據(jù)，因此NOR閃存底部有大量的信號(hào)引腳，且每個(gè)單晶體管都需要輔助讀寫的邏輯，晶體管利用效率較低、容量不占優(yōu)勢(shì)。而NAND閃存采用FN法寫入和擦除，且采用一種“頁(yè)面-塊”尋址的統(tǒng)一存儲(chǔ)方式，單晶體管的結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，存儲(chǔ)密度較高，擦除動(dòng)作很快，但缺陷在于讀出性能平平且不支持代碼本地執(zhí)行。另一個(gè)不可忽視的地方在于，NAND閃存很容易出現(xiàn)壞塊，制造商通過(guò)虛擬映射的方式將其屏蔽，這一點(diǎn)很類似于硬盤。
目前，NOR陣營(yíng)的廠商主要有英特爾與Spansion，后者為AMD與富士通閃存部門合并成立的新企業(yè)，英特爾目前的市場(chǎng)份額稍高，而Spansion則在技術(shù)上具有一定的優(yōu)勢(shì)，該公司在2005年10月份推出1Gb容量的NOR閃存，創(chuàng)下NOR的最高容量記錄。NAND領(lǐng)域的半導(dǎo)體廠商主要包括三星、現(xiàn)代(Hynix)、東芝、美國(guó)IM快閃科技(英特爾與美光科技近日成立的合資公司)等，其中三星占據(jù)的份額超過(guò)50%，居絕對(duì)的領(lǐng)先地位，該公司在2005年9月份推出16Gb密度的NAND閃存，但要等到今年下半年才有機(jī)會(huì)進(jìn)入實(shí)質(zhì)性的量產(chǎn)階段。
2樓
有種U盤叫閃存
嘿嘿！
3樓
就是優(yōu)盤.
4樓
U盤~
我來(lái)回答這個(gè)問(wèn)題
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