什么是閃存
懸賞分：20|
閃存卡（Flash Card）是利用“閃存技術(shù)”達到存儲電子信息的存儲器，一般應用在 數(shù)碼相機，掌上電腦，MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中作為存儲介質(zhì)，所以樣子小巧有如一張卡片， 所以稱之為閃存卡。根據(jù)不同的生產(chǎn)廠商和不同的應用，閃存卡大概有:
SmartMedia（SM卡）
Compact Flash（CF卡）
MultiMediaCard（MMC卡）
Secure Digital（SD卡）
MemoryStick（記憶棒）
XD-Picture Card（XD卡）
微硬盤（MICRODRIVE）
這些閃存卡雖然外觀、規(guī)格不同，但是技術(shù)原理都是相同的
閃存是基于USB接口和FlashMemo■ry閃存芯片存儲介質(zhì)、無需驅(qū)動器的存儲器，具有無驅(qū)動、速度快、體積小、兼容性好、攜帶方便、容量大、壽命長等優(yōu)點。
閃存以普及的USB接口作為與計算機溝通的橋梁，并且最高可達到2GB的儲存空間。即插即用的功能使得計算機可以自動偵測到此裝置，使用者只需將它插入計算機USB接口就可以使用，就像一般抽取式磁盤裝置，讀寫檔案、復制及刪除方法與一般操作方式完全相同。
目前流行的迷你移動存儲產(chǎn)品幾乎都是以閃存作為存儲介質(zhì)。閃存作為一種非揮發(fā)性（簡單說就是在不加電的情況下數(shù)據(jù)也不會丟失，區(qū)別于目前常用的計算機內(nèi)存）的半導體存儲芯片，具有體積小、功耗低、不易受物理破壞的優(yōu)點，是移動數(shù)碼產(chǎn)品的理想存儲介質(zhì)。隨著價格的不斷下降以及容量、密度的不斷提高，閃存開始向通用化的移動存儲產(chǎn)品發(fā)展。
閃存有許多種類型，從結(jié)構(gòu)上分主要有AND、NAND、NOR、DiNOR等，其中NAND和NOR是目前最為常見的類型。NOR型閃存是目前大家接觸得最多的閃存，它在存儲格式和讀寫方式上都與大家常用的內(nèi)存相近，支持隨機讀寫，具有較高的速度，這也使其非常適合存儲程序及相關(guān)數(shù)據(jù)，手機就是它的用武之地。但是NOR型的最大缺點就是容量小，Intel最近才發(fā)布了采用0.13μm工藝生產(chǎn)的64Mb芯片。與NOR型相比，NAND型閃存的優(yōu)點就是容量大，在去年512Mb的芯片就不是稀罕事了。但是，NAND型的速度比較慢，因為它的I/O端口只有8個，比NOR型的少多了。區(qū)區(qū)8個端口需要完成地址和數(shù)據(jù)的傳輸就得讓這些信號輪流傳送，很顯然，這種時候串行傳輸比NOR型、內(nèi)存等芯片的并行傳輸慢許多。但是，NAND型的存儲和傳輸是以頁和塊為單位的（一頁包含若干字節(jié)，若干頁組成塊），相對適合大數(shù)據(jù)的連續(xù)傳輸，這樣也可以部分彌補串行傳輸?shù)牟焕?。因此，NAND型閃存最適合的工作就是保存大容量的數(shù)據(jù)，作為電子硬盤、移動存儲介質(zhì)等使用。
為了在各種設備上使用，閃存必須通過各種接口與設備連接：與電腦連接最常用的接口有USB、PCMCIA等；與數(shù)碼設備連接則有專用的接口和外形規(guī)范，如CF、SM、MMC、SD、Memory Stick等，其中應用面最廣、擴展能力較強的是CF和Memory Stick。
SmartMedia（SM卡）
Compact Flash（CF卡）
MultiMediaCard（MMC卡）
Secure Digital（SD卡）
MemoryStick（記憶棒）
XD-Picture Card（XD卡）
微硬盤（MICRODRIVE）
這些閃存卡雖然外觀、規(guī)格不同，但是技術(shù)原理都是相同的
閃存是基于USB接口和FlashMemo■ry閃存芯片存儲介質(zhì)、無需驅(qū)動器的存儲器，具有無驅(qū)動、速度快、體積小、兼容性好、攜帶方便、容量大、壽命長等優(yōu)點。
閃存以普及的USB接口作為與計算機溝通的橋梁，并且最高可達到2GB的儲存空間。即插即用的功能使得計算機可以自動偵測到此裝置，使用者只需將它插入計算機USB接口就可以使用，就像一般抽取式磁盤裝置，讀寫檔案、復制及刪除方法與一般操作方式完全相同。
目前流行的迷你移動存儲產(chǎn)品幾乎都是以閃存作為存儲介質(zhì)。閃存作為一種非揮發(fā)性（簡單說就是在不加電的情況下數(shù)據(jù)也不會丟失，區(qū)別于目前常用的計算機內(nèi)存）的半導體存儲芯片，具有體積小、功耗低、不易受物理破壞的優(yōu)點，是移動數(shù)碼產(chǎn)品的理想存儲介質(zhì)。隨著價格的不斷下降以及容量、密度的不斷提高，閃存開始向通用化的移動存儲產(chǎn)品發(fā)展。
閃存有許多種類型，從結(jié)構(gòu)上分主要有AND、NAND、NOR、DiNOR等，其中NAND和NOR是目前最為常見的類型。NOR型閃存是目前大家接觸得最多的閃存，它在存儲格式和讀寫方式上都與大家常用的內(nèi)存相近，支持隨機讀寫，具有較高的速度，這也使其非常適合存儲程序及相關(guān)數(shù)據(jù)，手機就是它的用武之地。但是NOR型的最大缺點就是容量小，Intel最近才發(fā)布了采用0.13μm工藝生產(chǎn)的64Mb芯片。與NOR型相比，NAND型閃存的優(yōu)點就是容量大，在去年512Mb的芯片就不是稀罕事了。但是，NAND型的速度比較慢，因為它的I/O端口只有8個，比NOR型的少多了。區(qū)區(qū)8個端口需要完成地址和數(shù)據(jù)的傳輸就得讓這些信號輪流傳送，很顯然，這種時候串行傳輸比NOR型、內(nèi)存等芯片的并行傳輸慢許多。但是，NAND型的存儲和傳輸是以頁和塊為單位的（一頁包含若干字節(jié)，若干頁組成塊），相對適合大數(shù)據(jù)的連續(xù)傳輸，這樣也可以部分彌補串行傳輸?shù)牟焕?。因此，NAND型閃存最適合的工作就是保存大容量的數(shù)據(jù)，作為電子硬盤、移動存儲介質(zhì)等使用。
為了在各種設備上使用，閃存必須通過各種接口與設備連接：與電腦連接最常用的接口有USB、PCMCIA等；與數(shù)碼設備連接則有專用的接口和外形規(guī)范，如CF、SM、MMC、SD、Memory Stick等，其中應用面最廣、擴展能力較強的是CF和Memory Stick。
好
不好其 他 回 答共5條
1樓
NAND、NOR閃存的基本原理
無論NAND還是NOR，都是閃存(Flash Memory)家族中的成員，兩者在基本的數(shù)據(jù)存儲方式和操作機理上都完全相同。閃存以單晶體管作為二進制信號的存儲單元，它的結(jié)構(gòu)與普通的半導體晶體管(場效應管)非常類似，區(qū)別在于閃存的晶體管加入了“浮動柵(floating gate)”和“控制柵(Control gate)”—前者用于貯存電子，表面被一層硅氧化物絕緣體所包覆，并通過電容與控制柵相耦合。當負電子在控制柵的作用下被注入到浮動柵中時，該NAND單晶體管的存儲狀態(tài)就由1變成0。相對來說，當負電子從浮動柵中移走后，存儲狀態(tài)就由0變成1；而包覆在浮動柵表面的絕緣體的作用就是將內(nèi)部的電子“困住”，達到保存數(shù)據(jù)的目的。如果要寫入數(shù)據(jù)，就必須將浮動柵中的負電子全部移走，令目標存儲區(qū)域都處于1狀態(tài)，這樣只有遇到數(shù)據(jù)0時才發(fā)生寫入動作—但這個過程需要耗費不短的時間，導致不管是NAND還是NOR型閃存，其寫入速度總是慢于數(shù)據(jù)讀取的速度。
雖然基本原理相同，但閃存可以有不同的電荷生成與存儲方案。其中應用最廣泛的是“通道熱電子編程(Channel Hot Electron，CHE)”，該方法通過對控制柵施加高電壓，使傳導電子在電場的作用下突破絕緣體的屏障進入到浮動柵內(nèi)部，反之亦然，以此來完成寫入或者抹除動作；另一種方法被稱為“Fowler-Nordheim(FN)隧道效應法”，它是直接在絕緣層兩側(cè)施加高電壓形成高強度電場，幫助電子穿越氧化層通道進出浮動柵。NOR閃存同時使用上述兩種方法，CHE用于數(shù)據(jù)寫入，支持單字節(jié)或單字編程；FN法則用于擦除，但NOR不能單字節(jié)擦除，必須以塊為單位或?qū)φ瑓^(qū)域執(zhí)行擦除操作，由于擦除和編程速度慢、塊尺寸也較大，使得NOR閃存在擦除和編程操作中所花費的時間很長，無法勝任純數(shù)據(jù)存儲和文件存儲之類的應用，但它的優(yōu)點是可支持代碼本地直接運行；其次，NOR閃存采用隨機存儲方式，設備可以直接存取任意區(qū)域的數(shù)據(jù)，因此NOR閃存底部有大量的信號引腳，且每個單晶體管都需要輔助讀寫的邏輯，晶體管利用效率較低、容量不占優(yōu)勢。而NAND閃存采用FN法寫入和擦除，且采用一種“頁面-塊”尋址的統(tǒng)一存儲方式，單晶體管的結(jié)構(gòu)相對簡單，存儲密度較高，擦除動作很快，但缺陷在于讀出性能平平且不支持代碼本地執(zhí)行。另一個不可忽視的地方在于，NAND閃存很容易出現(xiàn)壞塊，制造商通過虛擬映射的方式將其屏蔽，這一點很類似于硬盤。
目前，NOR陣營的廠商主要有英特爾與Spansion，后者為AMD與富士通閃存部門合并成立的新企業(yè)，英特爾目前的市場份額稍高，而Spansion則在技術(shù)上具有一定的優(yōu)勢，該公司在2005年10月份推出1Gb容量的NOR閃存，創(chuàng)下NOR的最高容量記錄。NAND領(lǐng)域的半導體廠商主要包括三星、現(xiàn)代(Hynix)、東芝、美國IM快閃科技(英特爾與美光科技近日成立的合資公司)等，其中三星占據(jù)的份額超過50%，居絕對的領(lǐng)先地位，該公司在2005年9月份推出16Gb密度的NAND閃存，但要等到今年下半年才有機會進入實質(zhì)性的量產(chǎn)階段。
無論NAND還是NOR，都是閃存(Flash Memory)家族中的成員，兩者在基本的數(shù)據(jù)存儲方式和操作機理上都完全相同。閃存以單晶體管作為二進制信號的存儲單元，它的結(jié)構(gòu)與普通的半導體晶體管(場效應管)非常類似，區(qū)別在于閃存的晶體管加入了“浮動柵(floating gate)”和“控制柵(Control gate)”—前者用于貯存電子，表面被一層硅氧化物絕緣體所包覆，并通過電容與控制柵相耦合。當負電子在控制柵的作用下被注入到浮動柵中時，該NAND單晶體管的存儲狀態(tài)就由1變成0。相對來說，當負電子從浮動柵中移走后，存儲狀態(tài)就由0變成1；而包覆在浮動柵表面的絕緣體的作用就是將內(nèi)部的電子“困住”，達到保存數(shù)據(jù)的目的。如果要寫入數(shù)據(jù)，就必須將浮動柵中的負電子全部移走，令目標存儲區(qū)域都處于1狀態(tài)，這樣只有遇到數(shù)據(jù)0時才發(fā)生寫入動作—但這個過程需要耗費不短的時間，導致不管是NAND還是NOR型閃存，其寫入速度總是慢于數(shù)據(jù)讀取的速度。
雖然基本原理相同，但閃存可以有不同的電荷生成與存儲方案。其中應用最廣泛的是“通道熱電子編程(Channel Hot Electron，CHE)”，該方法通過對控制柵施加高電壓，使傳導電子在電場的作用下突破絕緣體的屏障進入到浮動柵內(nèi)部，反之亦然，以此來完成寫入或者抹除動作；另一種方法被稱為“Fowler-Nordheim(FN)隧道效應法”，它是直接在絕緣層兩側(cè)施加高電壓形成高強度電場，幫助電子穿越氧化層通道進出浮動柵。NOR閃存同時使用上述兩種方法，CHE用于數(shù)據(jù)寫入，支持單字節(jié)或單字編程；FN法則用于擦除，但NOR不能單字節(jié)擦除，必須以塊為單位或?qū)φ瑓^(qū)域執(zhí)行擦除操作，由于擦除和編程速度慢、塊尺寸也較大，使得NOR閃存在擦除和編程操作中所花費的時間很長，無法勝任純數(shù)據(jù)存儲和文件存儲之類的應用，但它的優(yōu)點是可支持代碼本地直接運行；其次，NOR閃存采用隨機存儲方式，設備可以直接存取任意區(qū)域的數(shù)據(jù)，因此NOR閃存底部有大量的信號引腳，且每個單晶體管都需要輔助讀寫的邏輯，晶體管利用效率較低、容量不占優(yōu)勢。而NAND閃存采用FN法寫入和擦除，且采用一種“頁面-塊”尋址的統(tǒng)一存儲方式，單晶體管的結(jié)構(gòu)相對簡單，存儲密度較高，擦除動作很快，但缺陷在于讀出性能平平且不支持代碼本地執(zhí)行。另一個不可忽視的地方在于，NAND閃存很容易出現(xiàn)壞塊，制造商通過虛擬映射的方式將其屏蔽，這一點很類似于硬盤。
目前，NOR陣營的廠商主要有英特爾與Spansion，后者為AMD與富士通閃存部門合并成立的新企業(yè)，英特爾目前的市場份額稍高，而Spansion則在技術(shù)上具有一定的優(yōu)勢，該公司在2005年10月份推出1Gb容量的NOR閃存，創(chuàng)下NOR的最高容量記錄。NAND領(lǐng)域的半導體廠商主要包括三星、現(xiàn)代(Hynix)、東芝、美國IM快閃科技(英特爾與美光科技近日成立的合資公司)等，其中三星占據(jù)的份額超過50%，居絕對的領(lǐng)先地位，該公司在2005年9月份推出16Gb密度的NAND閃存，但要等到今年下半年才有機會進入實質(zhì)性的量產(chǎn)階段。
2樓
有種U盤叫閃存
嘿嘿！
3樓
就是優(yōu)盤.
4樓
U盤~
我來回答這個問題
立即登陸回答獲取會員積分，提高用戶級別