由于其具有極快的開關(guān)速度和無觸點(diǎn)關(guān)斷等特點(diǎn)，將會(huì)使控制系統(tǒng)的質(zhì)量和性能大為改善。大量地應(yīng)用智能晶閘管模塊會(huì)節(jié)省大量的金屬材料，并使其控制系統(tǒng)的體積減少，還可使非常復(fù)雜的多個(gè)電氣控制系統(tǒng)變得非常簡單。用計(jì)算機(jī)集中控制，實(shí)現(xiàn)信息化管理，且運(yùn)行維護(hù)費(fèi)用很低。智能晶閘管模塊節(jié)能效果非常明顯，這對(duì)環(huán)保很有意義。如何晶閘管模塊的參數(shù)晶閘管模塊又稱為可控硅模塊，是硅整流裝置中主要的器件，可應(yīng)用于多種場合，在不同的場合、線路和負(fù)載的狀態(tài)下，選擇適合的晶閘管模塊的重要參數(shù)，使設(shè)備運(yùn)行更良好，使用壽命更長。選擇正反向電壓晶閘管模塊在門極無信號(hào)，控制電流Ig為0時(shí)，在陽（A）逐一陰（K）極之間加（J2）處于反向偏置，所以，器件呈高阻抗?fàn)顟B(tài)，稱為正向阻斷狀態(tài)，若增大UAK而達(dá)到一定值VBO，可控硅由阻斷忽然轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，這個(gè)VBO值稱為正向轉(zhuǎn)折電壓，這種導(dǎo)通是非正常導(dǎo)通，會(huì)減短器件的壽命。所以必須選擇足夠正向重復(fù)阻斷峰值電壓（VDRM）。在陽逐一陰極之間加上反向電壓時(shí)，器件的一和三PN結(jié)（J1和J3）處于反向偏置，呈阻斷狀態(tài)。當(dāng)加大反向電壓達(dá)到一定值VRB時(shí)可控硅的反向從阻斷忽然轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)是反向擊穿，器件會(huì)被損壞。淄博正高電氣嚴(yán)格控制原材料的選取與生產(chǎn)工藝的每個(gè)環(huán)節(jié)，保證產(chǎn)品質(zhì)量不出問題。淄博晶閘管智能控制模塊配件

另一個(gè)應(yīng)用是對(duì)交流電機(jī)進(jìn)行調(diào)速，如海上石油鉆井平臺(tái)電網(wǎng)串級(jí)調(diào)速和變頻調(diào)速中使用的各種形式的變頻裝置等。這是目前的技術(shù)發(fā)展方向，國外的交流調(diào)違拖動(dòng)裝置發(fā)展非常迅速。斬波調(diào)壓利用晶閘管模塊作為直流開關(guān)，控制晶閘管的通斷比和通斷頻率，將一固定直流電壓變換成可調(diào)的直流電壓稱斬波電壓。它主要用于直流拖動(dòng)的脈沖調(diào)速，在地鐵、電車、電氣機(jī)車及作為碼頭和廠內(nèi)運(yùn)輸?shù)碾娖寇嚿鲜褂?，串電阻的調(diào)速方法，控制方便，節(jié)能明顯。電力電子開關(guān)利用晶閘管模塊作為電子開關(guān)，代替頻繁通斷的接觸器和繼電器。具有無火花、無磨損、無噪音及壽命長的特點(diǎn)，并可得到較好的開關(guān)性能及節(jié)能效果。常做成交流調(diào)壓器，用于海上石油鉆井平臺(tái)的調(diào)光；作成調(diào)功器，用于加熱妒的溫度控制；以及電機(jī)的調(diào)壓調(diào)速與正反轉(zhuǎn)控制。晶閘管模塊在使用中采取的保護(hù)措施。晶閘管模塊自問世以來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)及其應(yīng)用技術(shù)的不斷發(fā)展，使其在電氣控制領(lǐng)域中發(fā)揮了很大的作用，具有體積小、安裝調(diào)試簡單、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，但是在使用的時(shí)候也應(yīng)該對(duì)晶閘管模塊采取相應(yīng)的保護(hù)措施。淄博晶閘管智能控制模塊配件淄博正高電氣展望未來，信心百倍，追求高遠(yuǎn)。

晶閘管的狀態(tài)怎么改變，它有一個(gè)控制極，又叫觸發(fā)極，給觸發(fā)極加控制電壓，就可使晶閘管的狀態(tài)反轉(zhuǎn)；不同材料、不同結(jié)構(gòu)的晶閘管，控制極的控制電壓的性質(zhì)、幅度、寬度、作用都不一樣。只有晶閘管陽極和門極同時(shí)承受正向電壓時(shí)，晶閘管才能導(dǎo)通，兩者缺一不可。晶閘管一旦導(dǎo)通后，門極將失去控制作用，門極電壓對(duì)管子以后的導(dǎo)通與關(guān)斷均不起作用，故門極控制電壓只要是有一定寬度的正向脈沖電壓即可，這個(gè)脈沖稱為觸發(fā)脈沖。要使已導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，必須使陽極電流降低到某一個(gè)數(shù)值以下。這可通過增加負(fù)載電阻降低陽極電流，使其接近于0。IGBT模塊是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT管是靠的是它的柵源極的電壓變換來完成工作的，當(dāng)柵源極加+12V(大于6V，一般取12V到15V)時(shí)IGBT導(dǎo)通，柵源極不加電壓或者是加負(fù)壓時(shí)，IGBT關(guān)斷，加負(fù)壓就是為了可靠關(guān)斷。IGBT的開通和關(guān)斷是由柵極電壓來控制的。當(dāng)柵極加正電壓時(shí)，MOSFET內(nèi)形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT導(dǎo)通，此時(shí)，從P+區(qū)注到N一區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制。

而且VBO和VRB值隨電壓的重復(fù)施加而變小。在感性負(fù)載的情況下，如磁選設(shè)備的整流裝置。在關(guān)斷的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生很高的電壓（∈=-Ldi/dt），假如電路上未有良好的吸收回路，此電壓將會(huì)損壞晶閘管模塊。因此，晶閘管模塊也必須有足夠的反向耐壓VRRM。晶閘管模塊在變流器（如電機(jī)車）中工作時(shí)，必須能夠以電源頻率重復(fù)地經(jīng)受一定的過電壓而不影響其工作，所以正反向峰值電壓參數(shù)VDRM、VRRM應(yīng)保證在正常使用電壓峰值的2-3倍以上，考慮到一些可能會(huì)出現(xiàn)的浪涌電壓因素，在選擇代用參數(shù)的時(shí)候,只能向高一檔的參數(shù)選取。選擇額定工作電流參數(shù)可控硅的額定電流是在一定條件的通態(tài)均勻電流IT，即在環(huán)境溫度為+40℃和規(guī)定冷卻條件，器件在阻性負(fù)載的單相工頻正弦半波，導(dǎo)通角不少于l70℃的電路中，當(dāng)穩(wěn)定的額定結(jié)溫時(shí)所答應(yīng)的通態(tài)均勻電流。而一般變流器工作時(shí)，各臂的可控硅有不均流因素?？煽毓柙诙鄶?shù)的情況也不可能在170℃導(dǎo)通角上工作，通常是少于這一角度。這樣就必須選用可控硅的額定電流稍大一些，一般應(yīng)為其正常電流均勻值的。選擇關(guān)斷時(shí)間晶閘管模塊在陽極電流減少為0以后，假如馬上就加上正朝陽極電壓，即使無門極信號(hào)，它也會(huì)再次導(dǎo)通。淄博正高電氣企業(yè)文化：服務(wù)至上，追求超越，群策群力，共赴超越。

電力調(diào)節(jié)器和電力因數(shù)校正器可以用于調(diào)節(jié)和優(yōu)化電力系統(tǒng)的質(zhì)量和效率。電機(jī)控制行業(yè)，晶閘管模塊可以用于電機(jī)的啟動(dòng)、變頻調(diào)速和制動(dòng)，可以提高電機(jī)的效率和精度，降低能耗和噪音。晶閘管模塊在電機(jī)控制行業(yè)中的應(yīng)用包括交流電機(jī)、直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)等。在交流電機(jī)中，晶閘管模塊可以用于變頻器、調(diào)速器、電壓調(diào)節(jié)器等，可以實(shí)現(xiàn)電機(jī)的高效控制和精確調(diào)節(jié)。在直流電機(jī)中，晶閘管模塊可以用于直流調(diào)速器、直流電源、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等，可以提高直流電機(jī)的效率和穩(wěn)定性。淄博正高電氣累積點(diǎn)滴改進(jìn)，邁向優(yōu)良品質(zhì)！淄博晶閘管智能控制模塊配件

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若測(cè)量結(jié)果有一次阻值為幾百歐姆，則可判定黑表筆接的是門極。在阻值為幾百歐姆的測(cè)量中，紅表筆接的是陰極，而在阻值為幾千歐姆的測(cè)量中，紅表筆接的是陽極，若兩次測(cè)出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極，應(yīng)用同樣的方法改測(cè)其他電極，直到找出三個(gè)電極為止。也可以測(cè)任兩腳之間正反向電阻，若正反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極和陰極，而另一腳為門極。普通晶閘管模塊也可能根據(jù)其封裝形式來判斷各電極。螺栓形普通晶閘管模塊的螺栓一端為陽極，較細(xì)的引線端為門極，較粗的引線端為陰極。平板型普通晶閘管模塊的引出線端為門極，平面端為陽極，另一端為陰極。塑封（TO-220）普通晶閘管的中間引腳為陽極，且多為自帶散熱片相連?？煽毓枘K又被成為晶閘管模塊，目前多使用的是雙向可控硅模塊，它具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡單、功能強(qiáng)、重量輕等優(yōu)點(diǎn)，但是它也具有過載和抗干擾能力差，在控制大電感負(fù)載時(shí)會(huì)干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點(diǎn)，下面正高來講解如何避免可控硅模塊的缺點(diǎn)。靈敏度雙向可控硅是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通。淄博晶閘管智能控制模塊配件