在電子領(lǐng)域，所有器件都會(huì)在不同程度上產(chǎn)生熱量。器件散發(fā)一定熱量屬于正?，F(xiàn)象，但某些類型的缺陷會(huì)增加功耗，進(jìn)而導(dǎo)致發(fā)熱量上升。在失效分析中，這種額外的熱量能夠?yàn)槎ㄎ蝗毕荼旧硖峁┯杏镁€索。熱紅外顯微鏡可以借助內(nèi)置攝像系統(tǒng)來測(cè)量可見光或近紅外光的實(shí)用技術(shù)。該相機(jī)對(duì)波長在3至10微米范圍內(nèi)的光子十分敏感，而這些波長與熱量相對(duì)應(yīng)，因此相機(jī)獲取的圖像可轉(zhuǎn)化為被測(cè)器件的熱分布圖。通常，會(huì)先對(duì)斷電狀態(tài)下的樣品器件進(jìn)行熱成像，以此建立基準(zhǔn)線；隨后通電再次成像。得到的圖像直觀呈現(xiàn)了器件的功耗情況，可用于隔離失效問題。許多不同的缺陷在通電時(shí)會(huì)因消耗額外電流而產(chǎn)生過多熱量。例如短路、性能不良的晶體管、損壞的靜電放電保護(hù)二極管等，通過熱紅外顯微鏡觀察時(shí)會(huì)顯現(xiàn)出來，從而使我們能夠精細(xì)定位存在缺陷的損壞部位。本系統(tǒng)對(duì)鎖相處理后的振幅和相位數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，生成振幅熱圖和相位熱圖，并通過算法定位異常區(qū)域。失效分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)用戶體驗(yàn)

鎖相熱成像系統(tǒng)的電激勵(lì)方式在電子產(chǎn)業(yè)的 LED 芯片檢測(cè)中扮演著不可或缺的角色，為 LED 產(chǎn)品的質(zhì)量提升提供了重要支持。LED 芯片是 pn 結(jié)，pn 結(jié)的質(zhì)量直接決定了 LED 的發(fā)光效率、壽命和可靠性。如果 pn 結(jié)存在缺陷，如晶格失配、雜質(zhì)污染等，會(huì)導(dǎo)致芯片的電光轉(zhuǎn)換效率下降，發(fā)熱增加，嚴(yán)重影響 LED 的性能。通過對(duì) LED 芯片施加電激勵(lì)，使芯片處于工作狀態(tài)，缺陷處的電流分布和熱分布會(huì)出現(xiàn)異常，導(dǎo)致局部溫度升高。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠精確檢測(cè)到這些溫度差異，并通過圖像處理技術(shù)，清晰顯示出 pn 結(jié)缺陷的位置和形態(tài)。

制造商可以根據(jù)檢測(cè)結(jié)果，篩選出良好的 LED 芯片，剔除不合格產(chǎn)品，從而提升 LED 燈具、顯示屏等產(chǎn)品的質(zhì)量和使用壽命。例如，在 LED 顯示屏的生產(chǎn)過程中，利用該系統(tǒng)對(duì) LED 芯片進(jìn)行檢測(cè)，可使產(chǎn)品的不良率降低 30% 以上，推動(dòng)了電子產(chǎn)業(yè)中 LED 領(lǐng)域的發(fā)展。 芯片用鎖相紅外熱成像系統(tǒng)牌子鎖相熱成像系統(tǒng)讓電激勵(lì)檢測(cè)數(shù)據(jù)更可靠。

RTTLIT 系統(tǒng)采用了先進(jìn)的鎖相熱成像（Lock-In Thermography）技術(shù)，這是一種通過調(diào)制電信號(hào)來大幅提升特征分辨率與檢測(cè)靈敏度的創(chuàng)新方法。在傳統(tǒng)的熱成像檢測(cè)中，由于背景噪聲和熱擴(kuò)散等因素的影響，往往難以精確檢測(cè)到微小的熱異常。而鎖相熱成像技術(shù)通過對(duì)目標(biāo)物體施加特定頻率的電激勵(lì)，使目標(biāo)物體產(chǎn)生與激勵(lì)頻率相同的熱響應(yīng)，然后通過鎖相放大器對(duì)熱響應(yīng)信號(hào)進(jìn)行解調(diào)，只提取與激勵(lì)頻率相關(guān)的熱信號(hào)，從而有效地抑制了背景噪聲，極大地提高了檢測(cè)的靈敏度和分辨率。

在電子行業(yè)，鎖相熱成像系統(tǒng)為芯片檢測(cè)帶來了巨大的變革。芯片結(jié)構(gòu)精密復(fù)雜，傳統(tǒng)的檢測(cè)方法不僅效率低下，還可能對(duì)芯片造成損傷。而鎖相熱成像系統(tǒng)通過對(duì)芯片施加周期性的電激勵(lì)，使芯片內(nèi)部因故障產(chǎn)生的微小溫度變化得以顯現(xiàn)，系統(tǒng)能夠敏銳捕捉到這些變化，進(jìn)而定位電路中的短路、虛焊等故障點(diǎn)。其非接觸式的檢測(cè)方式，從根本上避免了對(duì)精密電子元件的損傷，同時(shí)提升了芯片質(zhì)檢的效率與準(zhǔn)確性。在芯片生產(chǎn)的大規(guī)模質(zhì)檢中，它能夠快速篩選出不合格產(chǎn)品，為電子行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供了有力支持。電激勵(lì)與鎖相熱成像系統(tǒng)，電子檢測(cè)黃金組合。

OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補(bǔ)的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測(cè)原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言，EMMI技術(shù)通過光子檢測(cè)手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來識(shí)別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測(cè)系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測(cè)光子發(fā)射類缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對(duì)金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測(cè)未開封芯片中的失效點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。鎖相熱成像系統(tǒng)優(yōu)化電激勵(lì)檢測(cè)的圖像處理。失效分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)用戶體驗(yàn)

電激勵(lì)模塊是通過源表向被測(cè)物體施加周期性方波電信號(hào)，通過焦耳效應(yīng)使物體產(chǎn)生周期性的溫度波動(dòng)。失效分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)用戶體驗(yàn)

電子產(chǎn)業(yè)的功率器件檢測(cè)中，電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，為功率器件的**可靠運(yùn)行提供了有力保障。功率器件如 IGBT、MOSFET 等，在工作過程中需要承受大電流、高電壓，功耗較大，容易因內(nèi)部缺陷而產(chǎn)生過熱現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致器件損壞，甚至引發(fā)整個(gè)電子系統(tǒng)的故障。通過施加接近實(shí)際工況的電激勵(lì)，鎖相熱成像系統(tǒng)能夠模擬功率器件的真實(shí)工作狀態(tài)，實(shí)時(shí)檢測(cè)器件表面的溫度分布。系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)芯片內(nèi)部的熱斑、柵極缺陷、導(dǎo)通電阻異常等問題，這些問題往往是功率器件失效的前兆。檢測(cè)獲得的溫度分布數(shù)據(jù)還能為功率器件的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)提供重要參考，幫助工程師優(yōu)化器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝，提高產(chǎn)品的可靠性。例如，在新能源汽車的電機(jī)控制器功率器件檢測(cè)中，該系統(tǒng)能夠檢測(cè)出器件內(nèi)部的微小熱斑，提前預(yù)警潛在故障，保障新能源汽車的行駛**。失效分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)用戶體驗(yàn)