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GMR（Giant Magneto Resistive，巨磁阻效應(yīng)）。是指磁性材料的電阻率在有外磁場(chǎng)作用時(shí)較之無外磁場(chǎng)作用時(shí)存在巨大變化的現(xiàn)象。
巨磁阻是一種量子力學(xué)效應(yīng)，它產(chǎn)生于層狀的磁性薄膜結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)是由鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合而成。當(dāng)鐵磁層的磁矩相互平行時(shí)，載流子與自旋有關(guān)的散射最小，材料有最小的電阻。當(dāng)鐵磁層的磁矩為反平行時(shí)，與自旋有關(guān)的散射最強(qiáng)，材料的電阻最大。上下兩層為鐵磁材料，中間夾層是非鐵磁材料。鐵磁材料磁矩的方向是由加到材料的外磁場(chǎng)控制的，因而較小的磁場(chǎng)也可以得到較大電阻變化的材料。

巨磁電阻傳感器采用惠斯通電橋和 磁屏蔽技術(shù)，傳感器基片上鍍了一層很厚的磁性材料，這層材料對(duì)其下方的巨磁電阻形成屏蔽，不讓任何外加磁場(chǎng)進(jìn)入屏蔽的電阻器?；菟沟请姌蛴杏芍幌嗤木薮烹娮杞M成，其中R1和R3在磁性材料上方，受外加磁場(chǎng)影響是電阻減少，而R2和R4在磁性材料下方，被屏蔽阻值不變。