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場效應管是IGBT嗎?
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列兵
不是,場效應管是MOSFET,而IGBT是MOSFET和GTR(大功率晶體管)復合而成的器件.柵極是MOSFET,而C,E極是GTR.
IGBT兼具二者的優(yōu)點:驅動象MOSFET一樣容易,開關速度可達幾十KHz;電流象GTR一樣大,可達上千安培.現(xiàn)在IGBT的使用面很廣.
MOSFET電流做不大的,但開關速度很高,現(xiàn)主要用在中小功率的開關電源上.
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